Theo ước tính của Viện Nghiên cứu Kinh tế Hải ngoại (OERI) thuộc Ngân hàng Xuất nhập khẩu Hàn Quốc, khoảng cách công nghệ giữa Hàn Quốc và Trung Quốc trong lĩnh vực bán dẫn bộ nhớ là khoảng 5 năm đối với DRAM và 2 năm đối với flash NAND.
Viện nghiên cứu này cho biết vào hôm 30/05, ChangXin Memory Technologies (CXMT) – một nhà sảnt xuất DRAM Trung Quốc – đang xúc tiến sản xuất hàng loạt DRAM 10nm thế hệ thứ 2 (1y hoặc 16nm – 17nm) trong năm nay. Samsung Electronics và SK Hynix đang có kế hoạch sản xuất hàng loạt DRAM 10nm thế hệ thứ 5 (1b hoặc 12nm – 13nm) vào cuối năm nay hoặc năm sau. Nếu xem xét đến khoảng cách công nghệ trên mỗi thế hệ rơi vào khoảng từ 2 – 2,5 năm thì khoảng cách về công nghệ giữa 2 quốc gia này là hơn 5 năm.
Cụ thể, Samsung và SK Hynix đã giới thiệu dây chuyền sử dụng các thiết bị cực tím (EUV) hoặc đang có kế hoạch giới thiệu thiết bị này, nhưng rất khó để các công ty Trung Quốc đưa thiết bị EUV vào dây chuyền của mình do các lệnh trừng phạt từ Mỹ. Vì lý do đó, nhiều chuyên gia trong ngành cho rằng sẽ không dễ để Trung Quốc thu hẹp khoảng cách về công nghệ với Hàn Quốc.
Sản lượng của các nhà sản xuất chip Trung Quốc cũng khá thấp. OERI đã phân tích rằng sản lượng của CXMT, công ty bắt đầu sản xuất khối lượng lớn DRAM 10nm thế hệ đầu tiên (1x hoặc 18nm – 19nm) vào năm 2019, vẫn đang chật vật ở mức sản lượng 75%, ngay cả sau 2 năm đã trôi qua. Năng suất của họ đối với thế hệ DRAM thứ 2 cũng được biết là rơi vào khoảng 40%. Tóm lại, theo các nhà phân tích, thị phần DRAM của CXMT, vốn dưới 1% hồi cuối năm ngoái, sẽ không được hồi phục đáng kể.
Lee Mi-hye, một nhà nghiên cứu cấp cao của OERI, cho biết: “Điều quan trọng là các nhà sẩn xuất DRAM phải đạt được năng lực công nghệ và hiệu quả kinh tế theo quy mô, nhưng rất khó để Trung Quốc mở rộng thị phần do khoảng cách công nghệ tụt hậu khá xa với các nước hàng đầu và lệnh trừng phạt của Mỹ. Một sự thay đổi nhanh chóng sẽ không được thực hiện trong lĩnh vực DRAM, không giống như sự thay đổi quyền lực trong ngành công nghiệp màn hình."
Trong những flash NAND, khoảng cách về công nghệ của Trung Quốc với Hàn Quốc được ước tính là khoảng 2 năm. Yangtze Memory Technology (YMTC), một công ty bán dẫn bộ nhớ của Trung Quốc, đã bắt đầu sản xuất hàng loạt flash 3D NAND thế hệ thứ 6 (128 lớp) vào hồi tháng 08/2021. Samsung và SK Hynix đã sản xuất hàng loạt chúng từ năm 2019. Các công ty Hàn Quốc đã lên kế hoạch sản xuất hàng loạt flash NAND với hơn 200 lớp trong khoảng cuối năm nay đến đầu năm sau, nhưng YMTC dự kiến chỉ có thể làm được điều đó vào năm 2024.
Tuy nhiên, một biến số là Apple hiện đang xem xét lắp đặt các flash NAND của YMTC trong iPhone. Trong trường hợp này, YMTC dự định sẽ bảm đuổi mạnh mẽ các nhà sản xuất chip Hàn Quốc bằng cách mở rộng đầu tư. Đặc biệt, không giống như ngành DRAM, ngành flash NAND là một ngành đang phát triển nên sẽ có rất nhiều biến số. Các chuyên gia cho biết, nếu 5 hoặc 6 công ty flash NAND nhanh chóng mở rộng năng lực sản xuất của họ, sự cạnh tranh về giá sẽ xảy ra. Điều này có thể tạo ra sự thay đổi trong bảng xếp hạng thị phần flash NAND.
Lee cho biết: “Rất khó để các công ty Trung Quốc có thể đảm bảo lợi nhuận, nhưng khi họ nhận được sự hỗ trợ liên tục từ Chính phủ Trung Quốc, họ sẽ có thể trở thành mối đe dọa đối với các công ty Hàn Quốc. Các chính trị gia Mỹ đang lên tiếng phản đối những con chip do Trung Quốc sản xuất. Nếu Mỹ tăng cường trừng phạt đối với những con chip do Trung Quốc sản xuất, khoảng cách công nghệ hiện tại giữa Hàn Quốc và Trung Quốc có thể được duy trì.”
Các chuyên gia cho rằng Hàn Quốc hiện đang đi trước Trung Quốc khoảng 5 năm về công nghệ đúc. Hiện tại, Samsung Electronics (Hàn Quốc) và TSMC (Đài Loan) đang sản xuất hàng loạt những con chip 4nm – 5nm. Mặt khác, SMIC (Trung Quốc) chỉ đạt đến mức 14nm, tụt hậu hơn 2 hoặc 3 thế hệ. Rất khó để SMIC đảm bảo tiến trình sản xuất 7nm tiên tiến hơn bởi Mỹ cấm xuất khẩu thiết bị và công nghệ sản xuất bán dẫn của Mỹ sang Trung Quốc.
Đặc biệt, sự cạnh tranh đang gia tăng trong lĩnh vực đúc khi TSMC, Samsung và Intel đang lần lượt rót hơn 100 nghìn tỉ Won để giành vị trí dẫn đầu về công nghệ. Theo các chuyên gia, Trung Quốc vẫn chưa phải là đối thủ của Hàn Quốc trong các quy trình đúc công nghệ cao. Tuy nhiên, họ lưu ý rằng các công ty Hàn Quốc như DB HiTek có thể gặp khó khăn do tăng cường đầu tư vào Trung Quốc đối với các tiến trình trưởng thành.
Ngoài ra, tính đến cuối năm ngoái, Trung Quốc đã chiếm 9% thị phần trong lĩnh vực này, đứng thứ 3 trên thế giới sau Mỹ và Đài Loan. So với các quốc gia hàng đầu trong ngành thiết bị bán dẫn, trình độ công nghệ của Hàn Quốc là 90% và của Trung Quốc là 75%, và khoảng cách cỏa họ là khoảng 1,2 năm.
Viện nghiên cứu này cho biết vào hôm 30/05, ChangXin Memory Technologies (CXMT) – một nhà sảnt xuất DRAM Trung Quốc – đang xúc tiến sản xuất hàng loạt DRAM 10nm thế hệ thứ 2 (1y hoặc 16nm – 17nm) trong năm nay. Samsung Electronics và SK Hynix đang có kế hoạch sản xuất hàng loạt DRAM 10nm thế hệ thứ 5 (1b hoặc 12nm – 13nm) vào cuối năm nay hoặc năm sau. Nếu xem xét đến khoảng cách công nghệ trên mỗi thế hệ rơi vào khoảng từ 2 – 2,5 năm thì khoảng cách về công nghệ giữa 2 quốc gia này là hơn 5 năm.
Cụ thể, Samsung và SK Hynix đã giới thiệu dây chuyền sử dụng các thiết bị cực tím (EUV) hoặc đang có kế hoạch giới thiệu thiết bị này, nhưng rất khó để các công ty Trung Quốc đưa thiết bị EUV vào dây chuyền của mình do các lệnh trừng phạt từ Mỹ. Vì lý do đó, nhiều chuyên gia trong ngành cho rằng sẽ không dễ để Trung Quốc thu hẹp khoảng cách về công nghệ với Hàn Quốc.
Sản lượng của các nhà sản xuất chip Trung Quốc cũng khá thấp. OERI đã phân tích rằng sản lượng của CXMT, công ty bắt đầu sản xuất khối lượng lớn DRAM 10nm thế hệ đầu tiên (1x hoặc 18nm – 19nm) vào năm 2019, vẫn đang chật vật ở mức sản lượng 75%, ngay cả sau 2 năm đã trôi qua. Năng suất của họ đối với thế hệ DRAM thứ 2 cũng được biết là rơi vào khoảng 40%. Tóm lại, theo các nhà phân tích, thị phần DRAM của CXMT, vốn dưới 1% hồi cuối năm ngoái, sẽ không được hồi phục đáng kể.
Lee Mi-hye, một nhà nghiên cứu cấp cao của OERI, cho biết: “Điều quan trọng là các nhà sẩn xuất DRAM phải đạt được năng lực công nghệ và hiệu quả kinh tế theo quy mô, nhưng rất khó để Trung Quốc mở rộng thị phần do khoảng cách công nghệ tụt hậu khá xa với các nước hàng đầu và lệnh trừng phạt của Mỹ. Một sự thay đổi nhanh chóng sẽ không được thực hiện trong lĩnh vực DRAM, không giống như sự thay đổi quyền lực trong ngành công nghiệp màn hình."
Trong những flash NAND, khoảng cách về công nghệ của Trung Quốc với Hàn Quốc được ước tính là khoảng 2 năm. Yangtze Memory Technology (YMTC), một công ty bán dẫn bộ nhớ của Trung Quốc, đã bắt đầu sản xuất hàng loạt flash 3D NAND thế hệ thứ 6 (128 lớp) vào hồi tháng 08/2021. Samsung và SK Hynix đã sản xuất hàng loạt chúng từ năm 2019. Các công ty Hàn Quốc đã lên kế hoạch sản xuất hàng loạt flash NAND với hơn 200 lớp trong khoảng cuối năm nay đến đầu năm sau, nhưng YMTC dự kiến chỉ có thể làm được điều đó vào năm 2024.
Tuy nhiên, một biến số là Apple hiện đang xem xét lắp đặt các flash NAND của YMTC trong iPhone. Trong trường hợp này, YMTC dự định sẽ bảm đuổi mạnh mẽ các nhà sản xuất chip Hàn Quốc bằng cách mở rộng đầu tư. Đặc biệt, không giống như ngành DRAM, ngành flash NAND là một ngành đang phát triển nên sẽ có rất nhiều biến số. Các chuyên gia cho biết, nếu 5 hoặc 6 công ty flash NAND nhanh chóng mở rộng năng lực sản xuất của họ, sự cạnh tranh về giá sẽ xảy ra. Điều này có thể tạo ra sự thay đổi trong bảng xếp hạng thị phần flash NAND.
Lee cho biết: “Rất khó để các công ty Trung Quốc có thể đảm bảo lợi nhuận, nhưng khi họ nhận được sự hỗ trợ liên tục từ Chính phủ Trung Quốc, họ sẽ có thể trở thành mối đe dọa đối với các công ty Hàn Quốc. Các chính trị gia Mỹ đang lên tiếng phản đối những con chip do Trung Quốc sản xuất. Nếu Mỹ tăng cường trừng phạt đối với những con chip do Trung Quốc sản xuất, khoảng cách công nghệ hiện tại giữa Hàn Quốc và Trung Quốc có thể được duy trì.”
Các chuyên gia cho rằng Hàn Quốc hiện đang đi trước Trung Quốc khoảng 5 năm về công nghệ đúc. Hiện tại, Samsung Electronics (Hàn Quốc) và TSMC (Đài Loan) đang sản xuất hàng loạt những con chip 4nm – 5nm. Mặt khác, SMIC (Trung Quốc) chỉ đạt đến mức 14nm, tụt hậu hơn 2 hoặc 3 thế hệ. Rất khó để SMIC đảm bảo tiến trình sản xuất 7nm tiên tiến hơn bởi Mỹ cấm xuất khẩu thiết bị và công nghệ sản xuất bán dẫn của Mỹ sang Trung Quốc.
Đặc biệt, sự cạnh tranh đang gia tăng trong lĩnh vực đúc khi TSMC, Samsung và Intel đang lần lượt rót hơn 100 nghìn tỉ Won để giành vị trí dẫn đầu về công nghệ. Theo các chuyên gia, Trung Quốc vẫn chưa phải là đối thủ của Hàn Quốc trong các quy trình đúc công nghệ cao. Tuy nhiên, họ lưu ý rằng các công ty Hàn Quốc như DB HiTek có thể gặp khó khăn do tăng cường đầu tư vào Trung Quốc đối với các tiến trình trưởng thành.
Ngoài ra, tính đến cuối năm ngoái, Trung Quốc đã chiếm 9% thị phần trong lĩnh vực này, đứng thứ 3 trên thế giới sau Mỹ và Đài Loan. So với các quốc gia hàng đầu trong ngành thiết bị bán dẫn, trình độ công nghệ của Hàn Quốc là 90% và của Trung Quốc là 75%, và khoảng cách cỏa họ là khoảng 1,2 năm.
Theo VN review
