Khi thực hiện kiểm tra tốc độ đọc ngẫu nhiên 750.000 IOPS, ổ cứng Z-SSD của Samsung có thể thực hiện nhanh hơn các ổ cứng V-NAND 1,7 lần. Độ trễ khi ghi dữ liệu cũng giảm xuống thấp hơn 5 lần so với ổ cứng SSD NVMe PM963, tốc độ đo được là 16 micro giây. Có thể nói bộ nhớ Z-NAND sẽ được xem như đối thủ trực tiếp của bộ nhớ 3D XPoint được sử dụng cho Optane của công ty Intel. Khi so sánh với Optane, ổ cứng Z-SSD của công ty Samsung thể hiện hiệu năng đọc dữ liệu vượt trội đáng kể song ở tốc độ ghi dữ liệu có thua sút đôi phần.
Bên cạnh ổ cứng 800GB thì công ty Samsung còn giới thiệu một phiên bản 240GB nữa. Cả hai ổ cứng này sẽ được mang đến triển lãm tại Hội thảo các mạch thể rắn quốc tế (International Solid-State Circuits Conference) sẽ được tổ chức từ ngày 11/2 - 15/2 tại San Francisco, California. Giá bán hiện chưa được công ty Samsung hé lộ, song nhiều khả năng rất đắt và không phải người tiêu dùng nào cũng có thể chi trả.
Nguồn Techspot
