Tại Diễn đàn về các giải pháp di động ở Đài Loan, Samsung Electronics đã công bố hai thành tựu mới nhất của mình, hứa hẹn đem lại nhiều luồng gió mới cho ngành công nghiệp di động thế giới, đó là một chip nhớ LPDDR3 (low power double-data-rate 3) có dung lượng 4GB và một e-MMC (embedded multimedia card) 64GB tốc độ cao.
Được chế tạo dựa trên công nghệ 30nm-class, LPDDR3 DRAM 4GB của Samsung sẽ tiêu thụ lượng điện năng thấp hơn 20% so với các thế hệ đi trước, ngoài ra, tốc độ truyền tải dữ liệu cũng có những cải thiện đáng kể, lên đến 1.600 Mbps. Dự kiến, lô sản phẩm mẫu sẽ bắt đầu sản xuất vào quý 4 tới và các chip mới có thể được xếp chồng lên nhau để tạo ra 8Gb aka 1GB hoặc 16Gb aka 2GB DRAM.
Trong khi đó chip NAND e-MMC 64GB mới lại được sản xuất dựa trên công nghệ 20nm-class và có các thông số tương tự giao tiếp DDR 2.0 với tốc độ đọc/ghi là 80MB/s và 40MB/s. e-MMC siêu đặc và hiệu suất cao này sẽ nặng khoảng 0,6 gram và dày chỉ 1,4 mm nên rất thích hợp để tích hợp trên các thiết bị di động trong tương lai.
Theo TechConnect
