Vào tối hôm 3/11, hãng Samsung đã công bố một công nghệ mới được cho là bước đột phá trong dây chuyền sản xuất chip nhớ NAND Flash (sử dụng trong USB, thẻ nhớ). Công nghệ này cho phép Samsung tạo ra các chip nhớ đơn lẻ với kích thước 0,6mm nhưng lưu trữ được đến 32GB (gigabyte) dữ liệu.
Thế hệ NAND Flash mới của Samsung được sản xuất theo tiến trình 30nm, giúp tạo ra các chip nhớ nhỏ/nhẹ hơn thế hệ cũ đến 40%, và thành phẩm có độ dày chỉ bằng một nửa những sản phẩm trước đây nhưng khả năng lưu trữ cao hơn rất nhiều lần. Hiện Samsung vẫn chưa cho biết cụ thể lộ trình giới thiệu dòng sản phẩm ứng dụng chip NAND Flash mới này.
Nguồn: Electronista
Thế hệ NAND Flash mới của Samsung được sản xuất theo tiến trình 30nm, giúp tạo ra các chip nhớ nhỏ/nhẹ hơn thế hệ cũ đến 40%, và thành phẩm có độ dày chỉ bằng một nửa những sản phẩm trước đây nhưng khả năng lưu trữ cao hơn rất nhiều lần. Hiện Samsung vẫn chưa cho biết cụ thể lộ trình giới thiệu dòng sản phẩm ứng dụng chip NAND Flash mới này.
Nguồn: Electronista