Samsung Electronics đang từng bước cải thiện không ngừng nghỉ các sản phẩm bán dẫn của họ, từ vi xử lý cho đến bộ nhớ lưu trữ NAND, và giờ là bộ nhớ truy xuất ngẫu nhiên tạm thời (volatile memory) khi ngày 08/09 vừa qua thì công ty đã chính thức công bố họ bắt đầu đi vào sản xuất hàng loạt chip nhớ RAM 12Gb LPDDR4 trên quy trình sản xuất 20nm. Đây là những con chip nhớ đầu tiên trên thế giới được sản xuất và có mật độ nhớ cao hơn 50% so với các chip 8Gb hiện hữu.
Như chúng ta đã biết, một byte thì gồm có tám bit nên với quy trình sản xuất 20 nm 8 Gigabit LPDDR4 RAM trước đây sẽ tương đương 1 GB. Tiếp theo đó, các chip nhớ 1 GB này được ghép chung từ hai cho đến bốn con với nhau để được 2 GB đến 4 GB RAM. Do đó, với việc sản xuất hàng loạt chip nhớ 12 Gibagit sẽ đồng nghĩa sắp tới đây 6 GB RAM sẽ chỉ còn cần bốn chip ghép lại mà thôi. Từ đó mở ra viễn cảnh các smartphone và máy tính bảng sở hữu RAM 6GB với bốn chip nhớ 12Gb là không còn xa nữa, cũng vậy, 3GB RAM thì chỉ cần hai chip mà không gian cần thiết để chứa chúng thì vẫn như cũ.
Một thông tin khác cần biết là các chip nhớ 12Gb cho tốc độ nhanh hơn 30% so với các chip 8Gb, với tốc độ 4266Mbps per pin, và đạt đến băng thông 34Gbps trên một bus 64bit.
Nguồn Anand Tech