pegasus3390
Well-Known Member
Trong năm 2015, Intel và Micron đã giới thiệu bộ nhớ 3D XPoint, một dạng bộ nhớ mới dạng đặc và tốc độ cao. Tuy nhiên chúng ta vẫn phải đợi cho đến lúc này để có được sản phẩm thực tế. Những bộ nhớ sử dụng công nghệ 3D XPoint đầu tiên dự kiến sẽ có mặt trên thị trường vào năm nay. Thông tin mới đây từ tài liệu của Intel đã tiết lộ sản phẩm đầu tiên của hãng, mẫu Intel SSD DC P4800X dung lượng 375GB có kích thước chỉ một nửa so với card PCIe NVMe dành cho thị trường doanh nghiệp. Khả năng cao là những bộ nhớ này sẽ được mở rộng sang các dung lượng 750GB và 1.5TB.
Khi Intel ra mắt công nghệ 3D XPoint, công ty này nói rằng bộ nhớ này có thể cho tốc độ nhanh hơn khoảng 1.000 lần so với bộ nhớ NAND flash và độ bền cao hơn đến 1.000 lần cùng với mật độ cao hơn RAM đến 10 lần. Mặc dù thông số của mẫu ổ cứng được tiết lộ khá ấn tượng nhưng nó lại không như kỳ vọng của chúng ta.
Tốc độ đọc 2.400MB/s là cao nhưng nó còn không phải là nhanh nhất nếu so với các bộ nhớ NAND hiện tại bởi năm 2014, Intel đã giới thiệu mẫu Intel's SSD DC P3700, sản phẩm gần nhất sử dụng công nghệ chip NAND với tốc độ đọc lên đến 2.800MB/s. Mẫu Samsung 960 EVO cho người dùng thông thường cũng đạt được tốc độ đọc 3.200MB/s
Tốc độ đọc thì có một chút tích cực nhưng cũng không đáng kể. Ở mức tốc độ ghi 2.000MB/s nó chỉ nhanh hơn 1 chút so với tốc độ tối đa mà bộ nhớ flash có thể đạt được là 1.900MB tuy nhiên vẫn cao hơn tương đối so với các ổ cứng dung lượng tương đương (với Intel SSD 400GB của Intel đạt 1.080MB/s và mẫu ổ cứng 250GB của Samsung đạt 1.500MB/s). Mặc dù vậy chênh lệch phải còn rất xa mới đạt được đến con số 1000 lần mà Intel đã hứa hẹn.
Sự khác biệt đáng kể có thể đề cập đó là độ trễ và tốc độ truy xuất của ổ cứng Optane. Mẫu P4800X có thể đạt được mức 550.000 IOPS đọc và 500.000 IOPS ghi, trong khi đó mẫu SSD Intel cũ hơn chỉ có thể đạt được 450.000/175.000 IOPS tốc độ đọc/ghi và giảm xuống mức 75.000 IOPS với bản 400GB. Tốc độ của mẫu Samsung cũng chỉ đạt 380.000/360.000 IOPS tốc độ đọc/ghi ở mức dung lượng tối đa (giảm xuống còn 330.000/300.000 IOPS tốc độ đọc/ghi ở mức dung lượng 250GB)
Nếu khả năng truy xuất dữ liệu là điều bạn tìm kiếm thì Optane đã chứng minh nó khá mạnh mẽ. Độ trễ cũng tốt khi mà với những bộ nhớ flash SSD của Intel thì độ trễ sẽ là 20 micro giây trong khi với bộ nhớ 3D XPoint là 10 micro giây.
Một trong những cải tiến lớn khác chính là độ bền ổ cứng. Những mẫu ổ cứng 400GB SSD của Intel có tổng dung lượng ghi là khoảng 7.3GB tương đương với việc ghi liên tục toàn bộ đĩa 10 lần mỗi ngày. Bộ nhớ 250GB của Samsung chỉ được 0.1PB cho toàn bộ thời gian sử dụng (một phần vì ổ cứng cho người dùng phổ thông) tức là 10% dung lượng ổ cứng mỗi ngày. Bộ nhớ 375GB Optane có tổng lượng ghi đĩa lên đến 12.3PB tương đương 30 lần dung lượng ổ cứng mỗi ngày. Theo đó bộ nhớ 3D XPoint cho thấy độ bền tải rất cao.
Mặc dù những thông số này cho thấy sự cải thiện nhất định so với bộ nhớ NAND nhưng vẫn còn xa lắm cho đến được mức “vượt trội 1.000 lần”.
Thông số này lại cho thấy nhược điểm của bộ nhớ 3D XPoint so với các công nghệ trước đây đó là nó cần đến 18W điện khi hoạt động so với 12W của bộ nhớ 400GB SSD NAND của Intel và 5.3W với ổ cứng 250GB của Samsung. Việc thay thế các ổ cứng NAND bằng Optane có thể sẽ nhanh hơn và bền hơn nhưng nó cũng sẽ đòi hỏi điện năng nhiều hơn.
Giá và ngày ra mắt của những chiếc Intel P4800X mới hiện vẫn chưa biết. Hiện trên thị trường chỉ có dòng chipset Kaby Lake là hỗ trợ Optane và Intel hiện cũng đang lên kế hoạch tạo ra các mẫu SSD Optane M2 tương thích cho các bo mạch này tuy nhiên hiện chưa có xác nhận cụ thể từ Intel.
