Tuần rồi, Micron Technology, một trong những nhà sản xuất DRAM lớn nhất thế giới, vừa công bố hãng đang làm việc với tổ chức thiết lập chuẩn công nghiệp JEDEC, trong việc chuẩn hóa 1 giao diện DRAM mới và công nghệ die-stacking technology (công nghệ lắp các chip bằng kiểu xếp lớp chip này trên chip kia) với tên gọi ngăn lưu trữ 3 chiều hay 3DS. Đây hẳn sẽ là 1 công nghệ then chốt sau DDR4.
Theo Micron, ý tưởng đằng sau công nghệ 3DS là dùng một kiểu ngăn DRAM được thiết kế và sản xuất đặc biệt ở chế độ master-slave (chính – phụ), trong đó chỉ có phần master là giao tiếp với bộ điều khiển bộ nhớ. Công nghệ 3DS dùng chân DRAM tối ưu hóa, mỗi DLL đơn một ngăn, giảm số lượng giá trị logic hoạt động, chia sẻ cổng nhập/xuất đơn lẻ bên ngoài, cải thiện độ trễ, và giảm tải cho hệ thống. Những tính năng kết hợp này có thể cải thiện độ trễ tốt hơn, tăng bus dữ liệu, và đảm bảo toàn vẹn tín hiệu, đồng thời giảm mức tiêu thụ điện năng và hạn chế tình trạng quá nhiệt cho bộ nhớ.
Trong đoạn phim thử nghiệm, Micron cho thấy việc hạn chế độ trễ khi đọc từ 1 dãy này sang 1 dãy khác. Do sự giới hạn của hệ thống, có 1 khoảng trống 1 chu kỳ trên bus dữ liệu, do đó ảnh hưởng đến băng thông chung của cả hệ thống.
Thiết bị dùng công nghệ 3DS của Micron hứa hẹn sẽ loại bỏ độ trễ khi đọc từ 1 dãy này sang 1 dãy khác. Micron còn cho biết bộ nhớ 3DS chấp nhận lệnh “Đọc” đến nhiều dãy một lúc, vì vậy bus dữ liệu vẫn luôn ổn định.
Giám đốc kinh doanh cấp cao Aftab Farooqui từ Micron Technology cho hay “Trong trường hợp thứ hai, chúng tôi đã quan sát dữ liệu liên tục thế nào khi hệ thống phát lệnh Đọc liên tiếp trên cùng 1 dãy. Hệ thống tối ưu hóa cho công nghệ 3DS sẽ tận dụng tương tự lợi thể của độ trễ thấp và có thể sử dụng phần bus dữ liệu cải tiến lẫn băng thông khi đọc từ nhiều dãy khác nhau”.
[video=youtube;43ljcHtRaD8]http://www.youtube.com/watch?v=43ljcHtRaD8&feature=player_embedded[/video]
Theo Micron, ý tưởng đằng sau công nghệ 3DS là dùng một kiểu ngăn DRAM được thiết kế và sản xuất đặc biệt ở chế độ master-slave (chính – phụ), trong đó chỉ có phần master là giao tiếp với bộ điều khiển bộ nhớ. Công nghệ 3DS dùng chân DRAM tối ưu hóa, mỗi DLL đơn một ngăn, giảm số lượng giá trị logic hoạt động, chia sẻ cổng nhập/xuất đơn lẻ bên ngoài, cải thiện độ trễ, và giảm tải cho hệ thống. Những tính năng kết hợp này có thể cải thiện độ trễ tốt hơn, tăng bus dữ liệu, và đảm bảo toàn vẹn tín hiệu, đồng thời giảm mức tiêu thụ điện năng và hạn chế tình trạng quá nhiệt cho bộ nhớ.
Trong đoạn phim thử nghiệm, Micron cho thấy việc hạn chế độ trễ khi đọc từ 1 dãy này sang 1 dãy khác. Do sự giới hạn của hệ thống, có 1 khoảng trống 1 chu kỳ trên bus dữ liệu, do đó ảnh hưởng đến băng thông chung của cả hệ thống.
Thiết bị dùng công nghệ 3DS của Micron hứa hẹn sẽ loại bỏ độ trễ khi đọc từ 1 dãy này sang 1 dãy khác. Micron còn cho biết bộ nhớ 3DS chấp nhận lệnh “Đọc” đến nhiều dãy một lúc, vì vậy bus dữ liệu vẫn luôn ổn định.
Giám đốc kinh doanh cấp cao Aftab Farooqui từ Micron Technology cho hay “Trong trường hợp thứ hai, chúng tôi đã quan sát dữ liệu liên tục thế nào khi hệ thống phát lệnh Đọc liên tiếp trên cùng 1 dãy. Hệ thống tối ưu hóa cho công nghệ 3DS sẽ tận dụng tương tự lợi thể của độ trễ thấp và có thể sử dụng phần bus dữ liệu cải tiến lẫn băng thông khi đọc từ nhiều dãy khác nhau”.
Chỉnh sửa lần cuối bởi người điều hành:
