pegasus3390
Well-Known Member
Tại sự kiện Analyst Conference 2017 được tổ chức bởi Micron mới đây thì lãnh đạo công ty này đã cập nhật một số tình trạng cũng như kế hoạch tương lai của hãng trong từng mảng kinh doanh. Mặc dù không có sản phẩm mới nào được công bố trong hội nghị này nhưng họ lại trình bày các vấn đề cốt lõi cho ngành công nghiệp bộ nhớ trong năm 2017 và xa hơn. Với cả bộ nhớ NAND flash và DRAM hiện đang thiếu hụt nguồn cung, việc Micron công bố sẽ gia tăng sản lượng sản xuất cũng như giảm giá trên từng đơn vị nhớ rất được đón nhận
NAND Flash: chip nhớ 3D NAND 64 lớp sẽ xuất hiện trong năm nay, tập trung hơn vào sản xuất chip cỡ nhỏ hơn.
Trong năm 2016, liên minh Micron và Intel đã trở thành nhà sản xuất lớn thứ hai trong việc bán ra các con chip 3D NAND flash. Những con chip 3D NAND thế hệ thứ nhất 32 lớp đã hoàn thiện khi so sánh với tiến trình NAND dạng phẳng trước đây và các con chip 3D NAND giờ đây đang tăng mật độ lưu trữ trên mỗi lớp.
Trong năm 2017, Micron sẽ đẩy mạnh việc sản xuất chip 3D NAND thế hệ thứ 2 64 lớp, hiện đang trong giai đoạn sản xuất mẫu. Họ hứa hẹn sẽ có được những thành quả đáng kể vào cuối năm nay. Chip 3D NAND 64 lớp sẽ tăng tổng số GB mỗi tấm wafer lên hơn 80% và giảm giá mỗi bit chip TLC ít nhất là 30%.
Với hế hệ thứ hai của chip 3D NAND, Micron hiện đang chuyển đổi chiến lược với việc đưa ra ít nhất 2 kích cỡ chân đế. Trước đây chúng ta từng biết về các con chip 3D TLC 64 lớp 512Gb, nhưng Micron cũng tạo ra các mẫu nhỏ hơn 3D TLC 256Gb, và những con chip này dự kiến sẽ có kích thước nhỏ nhất trong tất cả các nhà sản xuất với kích thước 59 mm2 hay 4.3Gb/mm2. Các con chip kích thước nhỏ này được tạo ra với mục đích đưa ra thị trường di động nơi mà các con chip 512Gb có kích thước quá lớn. Thị phần của Micron trên mảng di động hiện khá thấp nhưng họ đang muốn mở rộng nó thông qua các con chip dung lượng lớn. Các con chip nhỏ hơn sẽ cho họ cơ hội lớn khi mà các thiết bị di động ngày càng nhỏ hơn nhưng lại đòi hỏi bộ nhớ ngày càng lớn. Các con chip nhỏ hơn cũng có thể được sử dụng trên các bộ nhớ SSD.
Micron hiện tại vẫn chưa nói nhiều về các chip 3D NAND flash thế hệ thứ 3, nhưng họ dự định sẽ sản xuất ở quy mô nhỏ vào nửa cuối 2017. Công ty này dự kiến dung lượng trên mỗi tấm wafer sẽ tăng thêm 40% và khả năng cao là họ sẽ tăng lên thành 96 lớp. Công ty này vẫn chưa nói về mức giá trên mỗi GB với các chip 3D NAND thế hệ thứ 3.
Dòng chip QLC NAND (với 4 bit mỗi cell) cũng là thứ Micron đang nghiên cứu, nhưng họ chưa có kế hoạch cụ thể để giới thiệu nó như một sản phẩm. Công ty này đang xem xét nhu cầu thị trường và dự tính sẽ giới thiệu QLC NAND cho các nhu cầu điện toán đám mây đặc thù khi thị trường có nhu cầu. (dòng chip này có độ bền ghi dữ liệu rất thấp khiến nó phải cần phần mềm để hạn chế tối đa việc ghi dữ liệu không cần thiết và về cơ bản không phải là thứ có thể thay thế được 3D TCL NAND, điểm lợi duy nhất là dung lượng/chi phí của nó tốt hơn)
DRAM: Sẽ đạt tiến trình dưới 20nm trong năm nay, tiến gần hơn với bộ nhớ GDDR6
Năm ngoái, Micron đã đẩy mạnh việc sản xuất DRAM tiến trình 20nm và trong quý 3 thì tiến trình 20nm trở thành sản phẩm chủ đạo của hãng. Trong năm 2017, Micron sẽ đẩy mạnh và bắt đầu chuyển sang tiến trình "1X nm" (cụ thể là 16nm), cải thiện giá/GB ít nhất là 20%. Họ dự tính sẽ giới thiệu 16nm GDDR5 vào cuối năm nay. Tuy vậy hãng còn có các bước 1Y nm và 1Z nm DRAM với 1Y nm DRAM dự kiến sẽ bắt đầu sản xuất sau 1X nm khoảng 1 năm. Sản lượng GDDR5X dự kiến sẽ tăng mạnh nhằm đáp ứng được các yêu cầu về băng thông trong GPU cũng như hệ thống mạng và khoảng cuối năm nay hoặc đầu năm sau thì Micron sẽ giới thiệu bộ nhớ GDDR6.
Các công nghệ bộ nhớ khác: vẫn kín tiếng về 3D XPoint
Vẫn như thường lệ, không có mấy thông tin về việc “sẵn sàng thương mại hóa” công nghệ này mặc dù hãng đang phát triển chip 3D XPoint đến thế hệ thứ 2 và thứ 3. Những thế hệ mới sẽ mang lại hiệu năng tốt hơn cũng như mật độ lưu trữ cao hơn, nhưng vẫn chưa có con số cụ thể thể hiện điều này.
Hiện tại chưa có bất kỳ sản phẩm cụ thể nào sẽ được sử dụng thương hiệu QuantX dựa trên công nghệ 3D XPoint (QuantX của Micron tương tự như Optane của Intel đều là bộ nhớ sử dụng công nghệ 3D XPoint). Trong khi đó Intel đã cung cấp các sản phẩm Optane đầu tiên cho thị trường PC mặc dù chúng có dung lượng rất thấp và chúng được sử dụng như bộ nhớ đệm cho phép máy tính có thể load ứng dụng hoặc game nhanh hơn. Tuy nhiên Micron có kế hoạch đi chậm hơn và dự kiến sẽ tung ra một lượng nhỏ sản phẩm ra thị trường vào cuối năm nay.
Mặc dù Micron và Intel đã cùng nhau phát triển bộ nhớ 3D XPoint thế hệ thứ nhất nhưng Micron đã tự nghiên cứu đến thế hệ thứ hai và thứ ba rồi. Chiến lược của Micron khác biệt so với Intel khi phát triển QuantX khi hướng đến việc tạo ra các ổ cứng SSD và DRAM dùng QuantX dung lượng cao cho các server và các hệ thống cao cấp. Và Optane của Intel có thể sẽ có sự cạnh tranh lớn từ đối tác của mình hoặc chúng ta có thể thấy cả hai dòng bộ nhớ này sẽ chạy trên cùng hệ thống
Bên cạnh 3D XPoint, Micron hiện còn đang phát triển ít nhất một công nghệ bộ nhớ mới trong nội bộ mà không hợp tác với Intel. Công nghệ mới này chưa được Micron đặt tên nhưng sẽ cho hiệu năng tương tự như DRAM và có thể sẽ cao hơn nhiều so với 3D XPoint. Công nghệ chưa xác định này có thể sẽ là tiềm năng trong việc giảm chi phí và tăng các lớp lưu trữ. Mục tiêu của nó là chậm hơn DRAM một chút nhưng sẽ rẻ hơn tuy nhiên có thể sẽ mất đến hàng thập kỷ cho đến khi nó có thể được sản xuất hàng loạt hoặc được sử dụng rộng rãi.
Chỉnh sửa lần cuối:
