Theo thông tin vừa nhận được, liên doanh IM Flash Technologies (IMFT) giữa Intel và Micron đã phát triển thành công thế hệ chip NAND MLC (multilevel-cell) mới dựa trên công nghệ 20nm tiên tiến và giúp tăng gấp đôi mật độ lưu trữ.
Theo đó, mỗi con chip NAND Flash mới của IMFT sẽ có dung lượng lên tới 128 gigabit (Gb), cho phép các hãng sản xuất "nhồi nhét" nhiều không gian lưu trữ hơn vào trong một thiết bị. Trong tương lai, một thiết bị với kích thước bằng đầu ngón tay có thể chứa được 1 terabit (128GB) dữ liệu và hiệu suất cũng được cải thiện lên tới 333 triệu đơn vị dữ liệu mỗi giây (megatransfer) nhờ sử dụng đặc tả Open NAND Flash Interface 3.0.
Dự kiến, công nghệ mới sẽ giúp các hãng sản xuất tăng gấp đôi dung lượng của ổ đĩa SSD và các thiết bị lưu trữ sử dụng nền tảng NAND khác. Các nguyên mẫu đầu tiên sẽ xuất hiện vào tháng giêng tới và sau đó sẽ được thương mại hóa vào nửa đầu của năm 2012.
Theo đó, mỗi con chip NAND Flash mới của IMFT sẽ có dung lượng lên tới 128 gigabit (Gb), cho phép các hãng sản xuất "nhồi nhét" nhiều không gian lưu trữ hơn vào trong một thiết bị. Trong tương lai, một thiết bị với kích thước bằng đầu ngón tay có thể chứa được 1 terabit (128GB) dữ liệu và hiệu suất cũng được cải thiện lên tới 333 triệu đơn vị dữ liệu mỗi giây (megatransfer) nhờ sử dụng đặc tả Open NAND Flash Interface 3.0.
Dự kiến, công nghệ mới sẽ giúp các hãng sản xuất tăng gấp đôi dung lượng của ổ đĩa SSD và các thiết bị lưu trữ sử dụng nền tảng NAND khác. Các nguyên mẫu đầu tiên sẽ xuất hiện vào tháng giêng tới và sau đó sẽ được thương mại hóa vào nửa đầu của năm 2012.
Khuôn rập (die) NAND MLC (multilevel-cell) 128Gbit 20nm đầu tiên trên thế giới. |
Với công nghệ này, các thiết bị trong tương lai sẽ nhỏ hơn, dung lượng lớn hơn. |
So sánh các công nghệ NAND của IMFT. |
Chỉnh sửa lần cuối: