Intel vừa nhận bằng sáng chế cho việc sử dụng chất germanium làm vật liệu lựa chọn cho hợp chất bán dẫn, hứa hẹn những bộ xử lý nhanh và ít hao tốn năng lượng hơn.
Intel đệ đơn sáng chế cấp cho ứng dụng này vào tháng 4 năm 2010, và đưa nó ra thảo luận tại 2010 International Electron Devices Meeting, hãng cho biết rằng đã phát triển 1 loại transistor P-channel từ chất germanium, để kết hợp với transistor N-channel III-V tạo ra một loại kiến trúc CMOS mới thích hợp. Intel tập trung tâm điểm sang chất germanium, chính bởi vì chất này có tính cơ động cao hơn silicon.
Bằng sáng chế cho biết việc sử dụng “các kênh siêu nhỏ germanium và hợp chất SiGe bám chặt vào vùng này, được tạo thành đồng thời thông qua sự ôxy hóa ưu tiên của Si và lớp mặt Silicon Germanium epitaxy”. Intel nâng tầm của silicon tinh thành một loại “bản mẫu” để xếp thẳng các đường kênh germanium kích thước nano trên chip, trong khi các “mỏ neo” silicon-germanium được sử dụng để gắn chúng vào chất nền silicon. Germanium chắc chắn sẻ trở nên một loại vật liệu quan trọng trên chip trong tương lai, vì chip sử dụng chất này với cấu trúc nano sẽ “cho phép sự kiểm soát tốt hơn những hiệu ứng kênh ngắn như tràn điện dưới hạn (subthreshold slop) và tràn kênh DIBL (Drain induced barrier lowering)”.
Việc sử dụng rộng rãi germanium đã được thảo luận bởi ngành công nghiệp bán dẫn hơn một thập kỷ, khi những bộ xử lý germanium cầu kỳ đầu tiên ra đời. Thời đó người ta đã dự đoán 15 năm sau thì ứng dụng này sẽ phổ biến, tức là vào khoảng 2007-2008 (cũng giống như bộ xử lý graphene bây giờ được dự đoán sẽ phổ biến vào khoảng năm 2020 – 2025). Thậm chí, hãy cũng trở lại những năm 1959, khi Jack Kilby làm vi chip bằng germanium, khi đó đồng sáng lập viên hãng Intel là Robert Noyce đã chọn silicon và chiến thắng. Thời đó, germanium bị giới hạn bởi vì tính rò rỉ dòng cao hơn. Hơn mười năm nay, sự quan tâm dành cho germanium như một loại vật liệu transistor đã tăng lên đáng kể và cũng đã có những phát triển, ví dụ như GPU 500GHz của IBM.
Intel đệ đơn sáng chế cấp cho ứng dụng này vào tháng 4 năm 2010, và đưa nó ra thảo luận tại 2010 International Electron Devices Meeting, hãng cho biết rằng đã phát triển 1 loại transistor P-channel từ chất germanium, để kết hợp với transistor N-channel III-V tạo ra một loại kiến trúc CMOS mới thích hợp. Intel tập trung tâm điểm sang chất germanium, chính bởi vì chất này có tính cơ động cao hơn silicon.
Bằng sáng chế cho biết việc sử dụng “các kênh siêu nhỏ germanium và hợp chất SiGe bám chặt vào vùng này, được tạo thành đồng thời thông qua sự ôxy hóa ưu tiên của Si và lớp mặt Silicon Germanium epitaxy”. Intel nâng tầm của silicon tinh thành một loại “bản mẫu” để xếp thẳng các đường kênh germanium kích thước nano trên chip, trong khi các “mỏ neo” silicon-germanium được sử dụng để gắn chúng vào chất nền silicon. Germanium chắc chắn sẻ trở nên một loại vật liệu quan trọng trên chip trong tương lai, vì chip sử dụng chất này với cấu trúc nano sẽ “cho phép sự kiểm soát tốt hơn những hiệu ứng kênh ngắn như tràn điện dưới hạn (subthreshold slop) và tràn kênh DIBL (Drain induced barrier lowering)”.
Việc sử dụng rộng rãi germanium đã được thảo luận bởi ngành công nghiệp bán dẫn hơn một thập kỷ, khi những bộ xử lý germanium cầu kỳ đầu tiên ra đời. Thời đó người ta đã dự đoán 15 năm sau thì ứng dụng này sẽ phổ biến, tức là vào khoảng 2007-2008 (cũng giống như bộ xử lý graphene bây giờ được dự đoán sẽ phổ biến vào khoảng năm 2020 – 2025). Thậm chí, hãy cũng trở lại những năm 1959, khi Jack Kilby làm vi chip bằng germanium, khi đó đồng sáng lập viên hãng Intel là Robert Noyce đã chọn silicon và chiến thắng. Thời đó, germanium bị giới hạn bởi vì tính rò rỉ dòng cao hơn. Hơn mười năm nay, sự quan tâm dành cho germanium như một loại vật liệu transistor đã tăng lên đáng kể và cũng đã có những phát triển, ví dụ như GPU 500GHz của IBM.
Chỉnh sửa lần cuối:
