Hiện IBM đang tiến hành sản xuất thử nghiệm một loại bộ nhớ hoàn toàn mới so với các loại bộ nhớ đang được sử dụng hiện nay. Bộ nhớ mới này hoạt động dựa trên công nghệ CMOS kết hợp với một loại công nghệ mới gọi là TSV (through-silicon via).
Nếu thành công, với cộng nghệ TSV được đưa vào sản xuất thì công nghệ Hybrid Memory Cube của Micron Technology sẽ được cải thiện đáng kể với tốc độ nhanh gấp 15 lần so với loại bộ nhớ máy tính nhanh nhất hiện nay là DDR3.
Không những thế, với thế hệ bộ nhớ mới ra đời, chúng chỉ tiêu tốn khoảng 70% năng lượng so với thế hệ hiện nay. Kích thước của bộ nhớ mới này cũng chỉ bằng 10% so với những thiết bị truyền thống.
Việc nghiên cứu và sản xuất loại bộ nhớ mới này sử dụng công nghệ 32 nm High-K/Metal Gate, đang được tiến hành tại một trung tâm nghiên cứu công nghệ nano của IBM ở Đông Fishkill, New York.
Với bước tiến lớn này, IBM đang tự hào cho rằng sẽ có một cuộc cách mạng lớn trong công nghệ máy tính, một bước ngoặc trong việc sản xuất phần cứng sẽ được tạo ra trong nay mai. IBM cũng vẽ ra tương lai của những chiếc máy tính siêu nhỏ đi kèm với từng dụng cụ gia đình sẽ lấn áp hoàn toàn thị trường máy tính thế giới tương lai.
Theo Hitechreview.com
