Uchiha_Madara
Nghỉ hưu
Hynix đã chính thức công bố phát triển thành công chip nhớ 8 GB đầu tiên trên thế giới được xây dựng trên công nghệ 20 nm tiên tiến. Sản phẩm mới này kết hợp hiệu năng xuất sắc với mức tiêu thụ điện thấp và mật độ cao trong một phần. Nó sẽ được gắn trên tablet và smartphone thế hệ mới, mang lại sức mạnh và tốc độ chưa từng thấy trước đây.
Bộ nhớ mới chạy ở điện áp cực thấp, 1,2 V, giảm điện năng tiêu thụ 10 % và đạt tốc độ 2133 Mb/s, cao hơn rất nhiều so với tốc độ của các bộ nhớ hiện tại 1600 Mb/s. Do đó, bộ nhớ Hynix mới đạt tốc độ 8,5 GB/s truyền dữ liệu trong chế độ kênh đơn và 17 GB/s trong chế độ kênh kép. Hơn nữa, chip mới này mỏng hơn đáng kể và mật độ bộ nhớ cũng rất cao, 4 GB chỉ trong một gói (package).
"Với sự phát triển bộ nhớ LPDDR3 mật độ cao sử dụng công nghệ 20 nm này, bây giờ SK Hynix có thể cung cấp sản phẩm chất lượng cao hàng đầu cho các thiết bị di động. Đặc biệt, sự phát triển này có ý nghĩa quan trọng khi công ty vẫn đảm bảo sự phát triển cạnh tranh của DRAM dành cho máy tính cũng bằng công nghệ 20 nm”. Theo như Richard Chin, giám đốc bán hàng và tiếp thị của SK Hynix. Bộ nhớ Hynix mới dự kiến sẽ xuất hiện trên các thiết bị cao cấp vào cuối năm 2013.
Nguồn: hitechreview.com
