pegasus3390
Well-Known Member
Với nhiều tính năng mới bao gồm rất nhiều ứng dụng cùng với việc sử dụng camera tích hợp ngày càng nhiều, một vấn đề mà người dùng điện thoại lo ngại chính là dung lượng bộ nhớ thiết bị. Từ năm 2011, mức dung lượng trung bình trên các thiết bị tăng từ 8GB đến 16GB và lên 32GB vào năm ngoái.
Trong năm 2017, các phiên bản cơ bản của những mẫu điện thoại hàng đầu trên thị trường như Samsung Galaxy S8, Apple iPhone 8 có thể sẽ là 64GB và có thể lên đến 256GB. Năm tới, mức dung lượng tối đa trên các thiết bị này có thể lên đến 512GB, được công bố bởi công ty Đài Loan Silicon Motion Technology Corporation.
Công ty này, hiện đang sản xuất các bộ controller NAND flash cho các SSD vừa mới tung ra bộ controler mới cho Ultra-Fast Storage (UFS). Controller UFS 2.1 sẽ cải thiện sức mạnh, hiệu năng và khả năng lưu trữ.
UFS là công nghệ giúp dữ liệu truyền tải nhanh hơn và được Samsung sử dụng trên các mẫu Galaxy của hãng từ Galaxy S6. UFS 2.1 tiêu chuẩn sẽ cung cấp khả năng truyền tải gần như gấp 3 lần so với các thiết bị hiện tại. Nếu như các bộ nhớ eMMC hiện tại sử dụng trên nhiều thiết bị cung cấp tốc độ IOPS vào khoảng 19.000/14.000 thì UFS 2.1 sẽ có thể cho được tốc độ 50.000/40.000. Nhưng điều quan trọng hơn là UFS 2.1 sẽ hỗ trợ bộ nhớ lên đến 512GB và người dùng sẽ không chỉ có bộ nhớ tốc độ nhanh hơn mà còn dung lượng lớn hơn.
